Department of Electrical and Computer Engineering Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) Seoul National University Seoul 08826 South Korea;
Department of Electrical and Computer Engineering Inter-University Semiconductor Research Center;
Switches; Silicon compounds; Switching circuits; Hafnium oxide; Tunneling; Low voltage; Performance evaluation;
机译:TiW势垒层厚度依赖性过渡从基于ZrO_2的电阻切换随机存取存储器件中的电化学金属化存储过渡到价变化存储的影响
机译:具有隧道势垒的基于Si_3N_4的电阻切换随机存取存储单元的电阻切换特性,适用于高密度集成和低功耗应用
机译:基于HfO2的ReRAM器件中Al2O3隧道势垒对非线性电阻开关特性的退火效应
机译:具有隧道屏障电阻切换存储器件的特征
机译:电阻式切换存储器和可重配置设备。
机译:多功能隧道势垒内部电阻器用于电阻式随机存取存储器中的选择性和开关均匀性
机译:在界面屏障诱导电阻切换存储器行为中的光子产生的载波的隧道