具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟

摘要

无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析［１］，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性。其结果与实验的相符。