Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, 33101 Tampere, Finl;
beryllium incorporation; dilute nitride; photoluminescence; quantum well;
机译:用于多结太阳能电池的GaAs / InGaAsN异质结构
机译:控制GaAs衬底上InAs / GaAsN / InGaAsN异质结构中发射波长的方法
机译:具有调制掺杂异质结构的InGaAsN金属半导体金属光电探测器
机译:高增益新IngaAsn异质结构
机译:通过高增益参数下转换发射的辐射的时尚结构=高参数抑制下参数荧光的模式结构
机译:从头算计算InGaAsN锌矿中四元化合物的压力诱导形成和In-N分布
机译:高质量IngaAsn异质结构的生长及其激光应用