ESCTM-CRISMAT, Institut des Sciences de la Matiere et du Rayonnement, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France;
机译:金属有机化学气相沉积法生长温度对GaN / AlN量子阱结构质量的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的高电阻率无意碳掺杂的GaN层,其中氮作为成核层载气
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长InGaN / GaN量子阱和蓝色发光二极管的性能
机译:金属 - 有机化学气相沉积生长过程中GaN成核层的结构演变
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:通过金属有机化学气相沉积法在c面GaN衬底上生长的富铝AlInN的结构特性
机译:高电阻率无意碳掺杂GaN层,氮气作为金属有机化学气相沉积生长的成核层载气
机译:金属有机化学气相沉积过程中的GaN应力演变;应用物理快报