Department of mechanical engineering, Chung-Yuan Christian University 200, Chung Pei Rd., Chung-Li, 32023 Taiwan;
Department of Electrical and Control Engineering, National Chiao Tung University Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.;
Intelligent Green Energy System Department, Industrial Technology Research Institute;
Department of mechanical engineering, Chung-Yuan Christian University 200, Chung Pei Rd., Chung-Li, 32023 Taiwan;
post-annealing; indium tin oxide film (ITO); oxygen vacancy; burstein-moss effect; oxygen vacancy; photoluminescence;
机译:用于光电器件应用的等离子气相沉积n-铟锡氧化物/ p-铜铟氧化物异质结
机译:在铟锡氧化物上制备多孔氧化钛膜以用于有机光伏器件
机译:氧化铟锡/ PBI2接口的电子水平对准及其用于有机电子设备的应用
机译:对未来电光器件应用后退火型氧化铟锡的研究
机译:用于砷化镓金属氧化物半导体器件应用的磷化铟铝天然氧化物的研究。
机译:聚苯乙烯球体为催化剂的低温生长铟锡氧化物纳米线的电光性能
机译:用掺杂处理有机发光器件应用掺杂氧化铟锡外延层的工作功能改进
机译:用于电光传感器应用的半导体器件辐射效应基本机制的研究