Center for Quantum Devices;
Department of Electrical Engineering and Computer Science;
Northwestern University;
Evanston, Illinois 60208;
USA;
GaN; avalanche; photodiode; APD; back-illuminated; impact ionization coefficients;
机译:III-氮化物/ SiC的分离吸收和倍增的雪崩光电二极管:控制极化引起的界面电荷的重要性
机译:III氮化物/ SiC的分离吸收和倍增的雪崩光电二极管:控制极化诱导的界面电荷的重要性
机译:太阳百叶窗,III族氮化物/硅混合紫外线雪崩光电二极管
机译:III型氮化物雪崩光电二极管
机译:开发新技术以增强III型氮化物雪崩光电二极管的性能和可靠性。
机译:CMOS光电接收器IC带有片上雪崩光电二极管用于家庭监控激光雷达传感器
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征
机译:III-氮化物可见光和太阳能盲雪崩光电二极管;最后的技术部门。 2007年4月至11月