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Cache Power Reduction in Presence of Within-Die Delay Variation Using Spare Ways

机译:使用备用方法在存在模内延迟变化的情况下降低缓存功率

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摘要

The share of leakage in cache power consumption increases with technology scaling. Choosing a higher threshold voltage (Vth) and/or gate-oxide thickness(Tox) for cache transistors improves leakage, but impacts cell delay. We show tha
机译:缓存功耗中的泄漏份额随着技术的扩展而增加。为高速缓存晶体管选择较高的阈值电压(V )和/或栅极氧化物厚度(T ox )可以改善泄漏,但会影响单元延迟。我们展示tha

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