Chalmers University of Technology, Department of Microtechnology and Nanoscience, Solid State Electronics Laboratory, SE-412 96 Goeteborg, Sweden;
机译:通过低温快速热退火制备的Ga注入的Si p / sup +/- n浅结的电性能
机译:单极直接键合Si / Si结构电学表征的新方法,可以定量评估其横向不均匀性
机译:用原位掺杂低温(800摄氏度)外延硅形成的结和双极晶体管的电学特性
机译:低温键合单相Si / Si结的电学性质
机译:研究键合水合氢NASICON(Hyceram(tm))的物理和电学性质。
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:多功能低温设置,用于单分子结的电学表征