利用非晶锗薄膜实现低温Si-Si键合的方法

摘要

利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液煮沸，再用HF和H₂O₂的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合溶液煮沸，再用HF和H₂O₂的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H₂O₂和H₂O的混合溶液煮沸，再用HF和H₂O₂的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10^‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。