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机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:氨MBE在AlN / SiC衬底上生长的高功率场效应晶体管的多层AlN / AlGaN / GaN / AlGaN异质结构
机译:在SiC衬底上使用AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的7.5 kW / mm / sup 2 /电流开关
机译:在100MM Si / POLY SiC复合衬底上制备的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:用于无线基站的100mm硅衬底上制备的alGaN / GaN HFET的性能
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管