Department of Materials Science and Engineering University of California, Los Angeles, CA 90095;
机译:氢石榴石薄膜中注入缺陷深度分布的二次谐波生成研究
机译:氢石榴石薄膜中注入缺陷深度分布的二次谐波生成研究
机译:氢注入温度对InP表面起泡的影响
机译:注入温度对氢注入铟中缺陷形貌的影响
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:主动MRI植入物引起的温度效应的有限体积分析:2.主动MRI植入物引起热点的缺陷
机译:铁辐射对n型InP和InGaAs的植入物隔离:植入后退火温度的影响
机译:元素和多层系统中的缺陷分析:拟合缺陷浓度与正电子注入分布的相关性