Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan, R.O.C.;
机译:通过激光剥离和晶圆键合技术用于垂直电流注入的GaN /镜/ Si发光二极管
机译:垂直注入基于GaN的绿色发光二极管的自动分离激光剥离技术
机译:采用激光剥离和晶圆转移技术的垂直导电p侧朝上GaN /镜面/ Si发光二极管
机译:激光升降和晶圆键合技术的垂直注入GaN基发光二极管
机译:利用外延剥离技术开发热电冷却的IV-VI半导体二极管激光器。
机译:非绝缘电流阻挡层和带纹理的表面增强了氮化物基紫外垂直注入发光二极管的性能
机译:用mg注入电流阻挡层提高GaN基垂直注入发光二极管的光输出功率