セルロースナノペーパー(CNP)上への多結晶Si-TFT 作製への挑戦:基盤技術への取り組みについて

摘要

Poly-Si TFT(Thin-Film Transistor)は、ディスプレイの高機能化にとって最も期待される画rn素駆動素子ではあるが、今後の発展には、さらなるデバイス特性の均一化、製造の低コスト化・低温rn化が強く望まれている。我々は、その発展系の1 つとして、最終的に紙であるセルロースナノペーパrnー(CNP)上への作製を検討している。紙であるCNP を用いるのは、紙の材料であるセルロースが植物rn由来で、自然界に豊富でかつ環境に極めて優しく、将来的には低コスト化が望めることもあるが、CNPrnの表面凹凸がデバイス寸法よりも小さい数nm レベルであり、耐熱性が高いことなどもある。しかし、rnCNP 上への電子デバイス作製になると、現実問題として、様々な困難が待ち受けている。特にSi は、rn一般的に高温プロセスが必要であり、不純物に敏感でかつ機械的なもろさを持つため、フレキシブルrnデバイス材料としては、最たる不適切材料の１つとして扱われているのではないだろうか。