Au上グラフェンCVD成長の熱放射光学顕微鏡によるその場観察

机译：热辐射显微镜原位观察Au上石墨烯CVD的生长

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化学気相成長(CVD)法は，大面積グラフェンをボトムアップ的に作製する手法として注目されている．炭素の固溶度の低いCu基板を用いると基板からの炭素の析出が抑制され単層グラフェンを選択的に得られることが知られている．Auも炭素固溶度が低く単層のグラフェンが作製できるという報告もあるが，Au基板上でのグラフェンの成長機構は明らかにされていない．

机译：作为自底向上的生产大面积石墨烯的方法，化学气相沉积（CVD）方法引起了人们的注意。众所周知，当使用碳固溶度低的Cu基板时，碳从基板的析出被抑制，并且可以选择性地获得单层石墨烯。据报道，Au还具有低的碳固溶性并且可以产生单层石墨烯，但是还不清楚石墨烯在Au衬底上的生长机理。

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来源
《2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集》|2018年|15.167|共1页
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作者
寺澤知潮; 平良隆信; 小幡誠司; 保田愉; 斉木幸一朗; 朝岡秀人;
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