有機金属気相成長法を用いた酸化ガリウム結晶成長の熱力学解析

摘要

酸化ガリウム(Ga_2O_3)は約5 eVの広いバンドギャップを有する酸化物半導体であり、次世代パワーデバイス材料として大きな注目を集めている。既に我々は、分子線エピタキシー(MBE)法によるGa_2O_3成長の熱力学解析が、実際の成長挙動を上手く説明できることを報告した1)。一方、デバイス構造の量産の見地からは、有機金属気相成長(MOVPE)法によるGa_2O_3成長技術の確立が必須となるが、高純度層の高温成長を可能とする成長条件や原料分子種については明らかとなっていない。そこで本研究では、MOVPE法を用いたGa_2O_3成長の熱力学解析を実施し、成長条件の探索を行った。