緩和した厚膜InGaNの成長とその評価 Ⅲ

摘要

近年、発光ダイオード(LED)などの半導体発光素子の市場は年々拡大している。通常、可視光LEDの下地層には二元化合物半導体のGaNが用いられている。しかし、波長領域が長波長になるにつれ発光層のInGaNとGaNの格子定数差が大きくなりInGaN層のミスフィット転位の増大、QCSEの影響が大きくなる等の問題がある。高品質なInGaN下地層が実現された場合、上記の格子定数差が小さくなりミスフィット転位の減少、QCSE の低減が期待される。更に様々なアプリケーションに応用できる可能性を秘めている。前回から引き続き、我々はInGaN下地層の高品質化に着目し、ファセット成長させることによる高品質InGaN下地層の作製、評価したので報告する。