縦型トレンチGaN-MOSFET のヒステリシス評価

摘要

窒化ガリウム（GaN）を用いた縦型パワーデバイスは、高耐圧かつ低損失のパワースイッチング素子として期待される。我々はn+ソース領域をイオン注入により形成した縦型トレンチMOSFET が良好なノーマリーオフ動作を示すことを報告した[1]。しかし、しきい値電圧にヒステリシスが確認された[2][3]。本研究では、n+ソース領域の形成にSi イオン注入を用いた素子(デバイスA)とn+ソース領域の形成にエピタキシャル成長を用いた素子(デバイスB)の二種類を試作し、しきい値電圧のヒステリシス特性について検討したので報告する。