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0.5V 動作60GHz 帯CMOS 低雑音増幅器

机译:0.5V 动作60GHz 帯CMOS 低雑音増幅器

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摘要

アナログRF 回路では低電圧動作により低消費電力化可rn能である。近年、0.5V 電源により利得20dB、帯域20GHzrn以上の低消費電力W帯増幅回路が報告されている[1]。本rn研究では低閾値と高相互コンダクタンス(gm)を両立するrnDDC (deeply depleted channel) CMOS 55nm プロセスを利rn用し、60GHz 帯CMOS 低雑音増幅回路(LNA)を試作・評価rnした。
机译:在模拟RF电路中,低电压操作可实现低功耗。近来,已经报道了使用0.5 V电源的低功耗W波段放大器电路,其增益为20 dB,带宽为20 GHzrn或更高[1]。在这项研究中,通过使用实现低阈值和高跨导(gm)的rnDDC(深耗尽通道)CMOS 55 nm工艺对60 GHz频带CMOS低噪声放大器电路(LNA)进行了原型设计和评估。

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