60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器

摘要

本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。