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0.5V 動作60GHz 帯CMOS 低雑音増幅器

机译:0.5V 动作60GHz 帯CMOS 低雑音増幅器

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摘要

アナログRF 回路では低電圧動作により低消費電力化可 能である。近年、0.5V 電源により利得20dB、帯域20GHz 以上の低消費電力W帯増幅回路が報告されている[1]。本 研究では低閾値と高相互コンダクタンス(gm)を両立する DDC (deeply depleted channel) CMOS 55nm プロセスを利 用し、60GHz 帯CMOS 低雑音増幅回路(LNA)を試作?評価 した。
机译:在模拟RF电路中,通过低电压操作可以实现低电压操作。近年来,已经报道了具有增益20dB和带20GHz的低功耗W频带放大电路,并通过0.5V电源进行了[1]。在该研究中,我们使用了与低阈值和高相互电导(GM)兼容的DDC(深度耗尽的通道)CMOS 55nm工艺,并评估了60GHz频带CMOS低噪声放大器电路(LNA)。

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