部分要素等価回路法を用いたSiC パワーモジュールの寄生インダクタンスモデル化に関する一検討: 動特性に基づく寄生インダクタンスのモデル化との比較

摘要

SiC やGaN 等のワイドバンドギャップパワー半導体デバrnイスを用いた高速･高周波数スイッチングの電力変換装置rnへの適用により、更なる小型･低損失化が期待されている。rn一方で電流･電圧の急峻な時間変化を伴うスイッチング動rn作は、回路･素子に存在する寄生成分との相互作用によっrnてサージやリンギングの発生を招く。寄生成分を低減するrn回路設計の実現に向け、本稿ではSiC パワーモジュール及rnび降圧DC/DC コンバータ内に存在する寄生インダクタンrnスのモデル化について検討し、回路実験により評価する。