SiC パワーモジュールの基板配線パターン設計に関する一検討－電磁界解析に基づく寄生インダクタンスのモデル化及び電流分布推定

摘要

省エネルギー化への要求の高まりから、SiC パワー半導体デバイスの高速スイッチング動作をインバータ等の電力変換回路に適用することによる高効率電力変換の実現が期待されている。しかし、扱う電圧·電流の大きい電力変換回路において、スイッチング動作の高速化により電圧·電流の時間変化（dv/dt di/dt)をさらに大きくすると、回路配線の微小な寄生インダクタンスやパワー半導体デバイスの端子間容量との相互作用による高周波数のリンギングが重畳し、より広域にわたる EMI（電磁干渉）ノイズの発生が懸念されるようになる。