Semicond. Co., Toshiba Corp., Kawasaki, Japan;
MOSFET; semiconductor device models; SSRM analysis technology; class trench filling; scanning spread resistance microscopy; superjunction; voltage 600 V;
机译:通过深沟槽填充外延生长开发SiC超结(SJ)器件
机译:基于Gibbs-Thomson效应的连续流体逼近分析4H-SiC的沟槽填充外延生长
机译:Gibbs-Thomson效应对4H-SiC沟槽填充外延生长的数值分析
机译:具有SSRM分析技术的600V级沟槽填充SJ-MOSFET的开发
机译:复合多层膜结构,用于折射率定制和Ald高纵横比沟槽填充。
机译:甘蓝型油菜种子填充的蛋白质组学分析。使用高分辨率二维凝胶电泳的代谢同工酶的发展表征。
机译:无电铜沉积沟槽沟槽沟灌效应的电化学研究
机译:近岸挖沟技术开发。