Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy,IEIIT-CNR, Politecnico di Torino, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy,ECE Department, Boston University, 8 Saint Mary's Street, 02215 Boston, MA;
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy,IEIIT-CNR, Politecnico di Torino, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy;
ECE Department, Boston University, 8 Saint Mary's Street, 02215 Boston, MA;
Auger recombination; GaN; light-emitting diodes; quantum-well devices; efficiency droop; internal quantum efficiency;
机译:体InGaN中俄歇复合的数值研究
机译:载流子局部化对InGaN量子阱中复合和氮化物发光二极管效率的影响:理论和数值模拟的见解
机译:InGaN / GaN量子阱中的俄歇复合:完整的布里渊区研究
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机译:固体理论研究:(1)半导体超晶格的光学性质。 (2)半导体量子阱中的俄歇复合。
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机译:载流子定位对InGaN量子阱中复合的影响 氮化物发光二极管的效率:理论和实践的见解 数值模拟