Computational Electronics and Photonics Group, Universitaet Kassel, Wilhelmshoeher Allee 71.D-34121 Kassel, Germany;
Computational Electronics and Photonics Group, Universitaet Kassel, Wilhelmshoeher Allee 71.D-34121 Kassel, Germany;
Computational Electronics; Light Emitting Diode; Gallium Nitride; Nano Structure; Surface Effects;
机译:在GaN纳米棒顶部生长的InGaN / GaN多量子盘的量子限制斯塔克效应
机译:勘误表:m平面InGaN / GaN量子盘上GaN纳米金字塔的选择性自组装和表征(Nanotechnology(2012)23(405602))
机译:快速热退火在IngaN / GaN量子盘纳米线阵列中的影响
机译:Ingan / GaN量子磁盘纳米丝LED表面效应计算建模
机译:GaN纳米线中InGaN盘的相干非线性光学光谱。
机译:嵌入GaN纳米棒中的InGaN量子盘的线性偏振光致发光
机译:解开纳米级结构变化对单个纳米发光体发光波长的影响:InGaN / GaN多量子阱纳米LED用于案例研究
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质