一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法

摘要

本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法。所述InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底表面进行蚀刻，得到倒梯形凹槽；(2)在倒梯形凹槽的侧壁上依次沉积AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，得到带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底；(3)将带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底放入剥离液中，释放得到所述InGaN/GaN多量子阱微米线。采用上述制备方法，能够制得极性和半极性的InGaN/GaN多量子阱微米线，并具有高效和低成本的优点。