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【24h】

Survivability of quantum well optoelectronic devices for space a

机译:量子阱光电子器件在太空中的生存能力

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摘要

Abstract: Evaluation of threshold-shift damage factors versus non-ionizing energy deposition for GaAs-based, quantum-well, laser diodes and light-emitting diodes demonstrates that they obey the relation between damage factors and non-ionizing energy loss established for GaAs-based electronic devices.!25
机译:摘要:对基于GaAs的量子阱,激光二极管和发光二极管的阈值位移损伤因子与非电离能量沉积的评估表明,它们遵循损伤因子与为GaAs-建立的非电离能量损失之间的关系。 25的电子设备!

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