Department of Electronics Electrical Engineering, Keio University 3-14-1, Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama-shi, 223-8522 Japan;
ZnO; pulsed-laser deposition; low-temperature buffer layer; nitrogen doping;
机译:脉冲激光沉积生长ZnO_(1-x)S_X(x = 0.1 -0.3)合金薄膜的晶体相分离和带隙
机译:在玻璃基板上脉冲激光沉积生长的Zno_(1-X)s_x薄膜的结构和光学性质
机译:富锌Zn_3N_2靶材的脉冲激光烧蚀制备p型氮掺杂ZnO薄膜及其性能
机译:ZnO _((l-X))N_x靶的激光烧蚀制氮掺杂ZnO薄膜
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:ZnF2掺杂的ZnO靶在不同溅射衬底温度下沉积F掺杂的ZnO透明薄膜
机译:通过激光烧蚀在ZnO衬底上外延生长的ZnO晶体和Zn 1-x M x O膜(M = Co,Mn)的结构和磁性(00. -1)
机译:在10μm激光波长下使用目标摆和薄箔靶测量烧蚀压力和质量烧蚀速率