Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, 33101 Tampere, Finl;
semiconductor lasers; dilute nitride; molecular beam epitaxy; quantum well;
机译:通过载流子寿命测量,在生长1.3μmInGaAsN-GaAsP-GaAs QW激光器的MOCVD中增加单分子复合
机译:金属有机化学气相沉积和1.3μmInGaAsN垂直腔面发射激光器生长的InGaAsN量子阱中的Al污染
机译:具有GaAs或GaAsP势垒的InGaAsN量子阱激光器的光学增益比较
机译:InGaAsN / GaAs激光器:高性能和长寿命
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:从头算计算InGaAsN锌矿中四元化合物的压力诱导形成和In-N分布
机译:量子阱混合制备脉冲阳极氧化InGaasN / Gaas激光器