机译:金属有机化学气相沉积和1.3μmInGaAsN垂直腔面发射激光器生长的InGaAsN量子阱中的Al污染
Agilent Technologies Laboratories, 3500 Deer Creek Road, Palo Alto, CA 94304, USA;
InGaAsN; VCSEL; long wavelength; AIGaAs; MOCVD; Al contamination;
机译:分子束外延生长的单模1.3μmInGaAsN / GaAs量子阱垂直腔表面发射激光器
机译:室温连续波InGaAsN量子阱垂直腔激光器,发射功率为1.3 / spl mu / m
机译:金属有机化学气相沉积生长的全厚度1.3μmInAlGaAs / InP垂直腔表面发射激光器的1.1 mW单模输出功率
机译:通过分子束外延生长的1.3 / spl mu / m InGaAsN / GaAs边缘发射和垂直腔表面发射激光器
机译:铝砷化镓-砷化镓-砷化镓-砷化铟量子点通过低压金属有机化学气相沉积与量子阱异质结构激光器耦合。
机译:由1.3 ...垂直腔表面发射激光器驱动的扫频光学相干断层扫描能够在小鼠体内进行2.3毫米深的大脑成像
机译:通过金属有机化学气相沉积生长的高度均匀且可再现的垂直腔表面发射激光器