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冉崇竹; 梁振英;
不详;
激光器; InGaAsP; InP;
机译:1.3- / splμm/ m的AlGaInAs-InP AlGaInAs-InP激光器在导引层具有多量子势垒的温度相关特性
机译:基于InP的1.3- / spl mu / m InP量子阱激光器,具有n掺杂的单独限制异质结构层,用于高温操作
机译:基于InP的1.3- / spl mu / m InP应变层多量子阱激光器在高温下的功率损失
机译:新型InGaAsP / InP 1.3 µm埋入式月牙形激光器的高温和长寿命操作
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:低阈值,基本横模振荡InGaAsP / InP(λ=1.3μm)半导体激光器的研制
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。
机译:InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
机译:InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
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