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Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV
Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV
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GaInAsP/InP quantum-wire lasers and distributed reflector lasers with wirelike active regions by lithography and regrowth
机译:
GaInAsP / InP量子线激光器和具有线状有源区的分布式反射器激光器的光刻和再生长
作者:
Shigehisa ARAI
;
Hideki YAGI
;
Kazuya OHIRA
;
Takeo MARUYAMA
;
Shigeo TAMURA
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
quantum-wire laser;
distributed-reflector laser;
GaInAsP/InP;
strain-compensated quantum-well structure;
EB lithography;
CH_4/H_2-RIE;
OMVPE regrowth;
2.
High-power ridge-waveguide and broad-area lasers with a DFB resonator in the wavelength range 760-790nm
机译:
具有DFB谐振器的大功率脊形波导和广域激光器,波长范围为760-790nm
作者:
A. Klehr
;
M. Braun F. Bugge
;
G. Erbert
;
J. Fricke
;
A. Knauer
;
P. Ressel
;
H. Wenzel
;
G. Traenkle
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
distributed-feedback lasers;
ridge-waveguide lasers;
broad-area leasers;
high-power lasers;
3.
High-Power Al-Free Active Region (λ = 852nm) Laser Diodes For Atomic Clocks and Interferometry Applications
机译:
用于原子钟和干涉测量应用的高功率无铝有源区(λ= 852nm)激光二极管
作者:
F-J Vermersch
;
M. Lecomte
;
M. Calligaro
;
O. Parillaud
;
S. Bansropun
;
M. Krakowski
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor laser;
high power laser diode;
broad area laser;
beam quality;
852nm;
atomic clock;
4.
Novel tunable DFB lasers with FIB deposited heaters
机译:
带有FIB沉积加热器的新型可调谐DFB激光器
作者:
Yongkun Sin
;
Nathan Presser
;
Maribeth Mason
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
distributed feedback lasers;
tunable lasers;
focused ion beam;
5.
Microdisk Lasers - Quantum-Dot Lasing and Bistability
机译:
微盘激光器-量子点激光发射和双稳态
作者:
T. Baba
;
T. Ide
;
S. Ishii
;
A. Nakagawa
;
J. Tatebayashi
;
S. Iwamoto
;
T. Nakaoka
;
Y. Arakawa
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
microdisk;
quantum dot;
InAs;
photonic molecule;
bistability;
GalnAsP;
semiconductor laser;
6.
Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes
机译:
(Al,In)GaN激光二极管的近场和远场动力学
作者:
U. T. Schwarz
;
M. Pindl
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
in-plane laser diodes;
dynamic properties;
near-field;
phase reconstruction;
beam-steering;
7.
High-power short-wavelength quantum cascade lasers
机译:
大功率短波长量子级联激光器
作者:
W. Ted Masselink
;
Mykhaylo P. Semtsiv
;
Sebastian Dressier
;
Mathias Ziegler
;
Nikolai Georgiev
;
Thomas Dekorsy
;
Manfred Helm
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
quantum cascade laser;
mid-infrared;
qcl;
8.
Recent progress of AlInGaN laser diodes
机译:
AlInGaN激光二极管的最新进展
作者:
Shin-ichi Nagahama
;
Yasunobu Sugimoto
;
Tokuya Kozaki
;
Takashi Mukai
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
AlInGaN;
laser diode;
ultraviolet;
cyan;
9.
Wide wavelength tuning of sampled grating tunable twin-guide laser diodes
机译:
采样光栅可调双导激光二极管的宽波长调谐
作者:
R. Todt
;
Th. Jacke
;
R. Meyer
;
R. Laroy
;
G. Morthier
;
M.-C. Amann
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
tunable lasers;
wide wavelength tuning;
vernier-effect tuning;
sampled gratings;
superstructure gratings;
10.
Tunneling Injection Quantum-Dot Lasers
机译:
隧道注入量子点激光器
作者:
S. L. Chuang
;
P. K. Kondratko
;
J. Kim
;
G. Walter
;
N. Holonyak
;
Jr.
;
R. Heller
;
X. Zhang
;
R. Dupuis
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
quantum dots;
visible lasers;
tunneling injection;
optical gain;
11.
High-Power High-Brightness Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xx nm
机译:
14xx nm高功率高亮度脊波导管锥形二极管激光器
作者:
S. Kallenbach
;
M. T. Kelemen
;
R. Aidam
;
R. Loesch
;
G. Kaufel
;
M. Mikulla
;
G. Weimann
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
high-power;
high-brightness;
tapered diode laser;
14xx;
InGaAsP/InP;
12.
Terahertz quantum cascade lasers with metal-metal waveguides
机译:
具有金属-金属波导的太赫兹量子级联激光器
作者:
Benjamin S. Williams
;
Stephen Kohen
;
Sushil Kumar
;
Qing Hu
;
John L. Reno
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
terahertz;
far-infrared;
quantum cascade laser;
intersubband laser;
13.
Dynamical Properties of Quantum Dash Lasers
机译:
量子破折号激光器的动力学特性
作者:
G. Eisenstein
;
H. Dery
;
D. Hadass
;
R. Alizon
;
A. Somers
;
S. Deubert
;
W. Kaiser
;
J. P. Reithmaier
;
A. Forchel
;
M. Calligaro
;
S. Bansropun
;
M. Krakowski
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
14.
High Power CW Quantum Cascade Lasers: How Short Can We Go?
机译:
大功率连续波量子级联激光器:我们能走多久?
作者:
Manijeh Razeghi
;
Allan Evans
;
Steven Slivken
;
Jae-Su Yu
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
quantum cascade laser;
mid-infrared;
intersubband transition;
strain-balanced;
InP;
gas source molecular beam epitaxy;
15.
HIGH POWER CONVERSION EFFICIENCY AL-FREE DIODE LASERS FOR PUMPING HIGH POWER SOLID STATE LASER SYSTEMS
机译:
用于泵送大功率固态激光系统的大功率转换效率无级二极管激光器
作者:
M. Kanskar
;
T. Earles
;
T. Goodnough
;
E. Stiers
;
D. Botez
;
L. J. Mawst
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
al-free;
semiconductor laser diode;
power conversion efficiency;
pump source;
multirnode laser;
16.
AlGaInAs/GaAs Record High Power-Conversion-Efficiency and Record High Brightness Cooler-less 915 nm Multimode Pumps
机译:
AlGaInAs / GaAs记录了高功率转换效率并记录了高亮度,无冷却器的915 nm多模泵浦
作者:
I. Berishev
;
A. Komissarov
;
N. Moshegov
;
P. Trubenko
;
L. Wright
;
A. Berezin
;
S. Todorov
;
A. Ovtchinnikov
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
multi-mode;
InGaAs/GaAs;
high power;
ultra high brightness;
highly efficiency;
cooler-less;
diode pump;
17.
Characteristics of MOCVD-grown dilute-nitride quantum well lasers
机译:
MOCVD生长的稀氮化物量子阱激光器的特性
作者:
L. J. Mawst
;
Jeng-Ya Yeh
;
T. Van Roy
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
diode laser;
quantum well;
MOCVD;
18.
Atmospheric trace gas measurements using a dual quantum-cascade laser mid-infrared absorption spectrometer
机译:
使用双量子级联激光中红外吸收光谱仪进行大气痕量气体测量
作者:
Rodrigo Jimenez
;
Scott Herndon
;
Joanne H. Shorter
;
David D. Nelson
;
J. Barry McManus
;
Mark S. Zahniser
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
19.
Advances in THz quantum cascade lasers: fulfilling the application potential
机译:
太赫兹量子级联激光器的进展:发挥应用潜力
作者:
Alessro Tredicucci
;
Lukas Mahler
;
Tonia Losco
;
Jihua Xu
;
Cosimo Mauro
;
Ruedeger Koehler
;
Harvey E. Beere
;
David A. Ritchie
;
Edmund H. Linfield
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
terahertz;
quantum cascade lasers;
intersubband transitions;
surface plasmons;
20.
A compact, narrow band, and low noise 800 mW laser source at 980 nm
机译:
980 nm的紧凑,窄带,低噪声800 mW激光源
作者:
Tomas Pliska
;
Nicolai Matuschek
;
Joerg Troger
;
Berthold Schmidt
;
Stefan Mohrdiek
;
Christoph Harder
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor laser;
laser module;
fiber bragg grating stabilization;
frequency conversion;
21.
Influence of geometrical factors on angled broad-area semiconductor lasers for high output power with good beam quality
机译:
几何因素对具有良好光束质量的高输出功率的成角度的广域半导体激光器的影响
作者:
Chih-Hung Tsai
;
Yi-Shin Su
;
Ching-Fuh Lin
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
high-power semiconductor lasers;
broad-area laser diode;
beam quality;
filamentation;
22.
GaSb-based 1.9-2.4 μm quantum-well diode lasers with low beam divergence
机译:
具有低光束发散的基于GaSb的1.9-2.4μm量子阱二极管激光器
作者:
M. Rattunde
;
E. Geerlings
;
J. Schmitz
;
G. Kaufel
;
J. Weber
;
M. Mikulla
;
J. Wagner
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
GaSb;
infrared diode laser;
waveguide;
divergence;
fast axis;
external cavity;
tuning range;
23.
InGaAsN/GaAs Lasers: High Peformance and Long Lifetime
机译:
InGaAsN / GaAs激光器:高性能和长寿命
作者:
C. S. Peng
;
J. Konttinen
;
T. Jouhti
;
M. Pessa
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
dilute nitride;
molecular beam epitaxy;
quantum well;
24.
InGaN laser diodes by molecular beam epitaxy
机译:
InGaN激光二极管的分子束外延
作者:
M. Kauer
;
J. Heffernan
;
S. E. Hooper
;
V. Bousquet
;
K. Johnson
;
C. Zellweger
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
nitride semiconductor laser;
blue laser diodel;
GaN;
InGaN;
molecular beam epitaxy;
25.
High temperature continuous-wave operation of 1310 nm single mode grating-outcoupled surface emitting semiconductor lasers
机译:
1310 nm单模光栅耦合表面发射半导体激光器的高温连续波操作
作者:
Taha Masood
;
Nuditha V. Amarasinghe
;
Scott McWilliams
;
Steve Patterson
;
David Roh
;
Gary A. Evans
;
Jerome Butler
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
surface emission;
grating;
long wavelength;
distributed bragg reflector;
26.
Quantum Cascade Raman laser
机译:
量子级联拉曼激光器
作者:
Mariano Troccoli
;
Alexey Belyanin
;
Federico Capasso
;
Ertugrul Cubukcu
;
Deborah L. Sivco
;
Alfred Y. Cho
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
27.
Measurement of junction temperature in GaN-based laser diodes using voltage-temperature characteristics
机译:
利用电压-温度特性测量GaN基激光二极管的结温
作者:
Han-Youl Ryu
;
Kyoung-Ho Ha
;
Jung-Hye Chae
;
Ok-Hyun Nam
;
Yong-Jo Park
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
blue-violet laser diode;
GaN;
InGaN;
junction temperature;
28.
Very large arrays of individually addressable, high power, single mode laser arrays in the 800-1000nm wavelength range obtained by quantum well intermixing techniques
机译:
通过量子阱混合技术获得的800-1000nm波长范围内的可单独寻址,高功率,单模激光阵列的超大型阵列
作者:
S.P. Najda
;
G. Bacchin
;
B.C. Qiu
;
C.J.M. Smith
;
O. Vassalli
;
M. Toury
;
S.D. McDougall
;
C.J. Hamilton
;
J.H. Marsh
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
laser arrays;
high power single mode lasers;
29.
Theory of intracavity nonlinear processes in quantum cascade lasers
机译:
量子级联激光器的腔内非线性过程理论
作者:
Alexey Belyanin
;
Debin Liu
;
Feng Xie
;
Federico Capasso
;
Claire Gmachl
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
quantum cascade laser;
nonlinear optics;
second-harmonic generation;
raman laser;
lasing without inversion;
30.
Spiral-shaped Microdisk Lasers
机译:
螺旋形微盘激光器
作者:
Michael Kneissl
;
Grace D. Chern
;
Mark Teepe
;
David W. Treat
;
Zhihong H. Yang
;
Richard K. Chang
;
Noble M. Johnson
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
microresonator;
microcavity;
microdisk;
laser;
laser diodes;
InGaN;
ultraviolet;
31.
Properties of violet laser diodes grown on bulk GaN substrates
机译:
在块状GaN衬底上生长的紫激光二极管的特性
作者:
P. Perlin
;
L. Marona
;
T. Swietlik
;
M. Leszczynski
;
P. Prystawko
;
P. Wisniewski
;
R. Czernecki
;
G. Franssen
;
S. Grzanka
;
G. Kamler
;
J. Borysiuk
;
J. Weyher
;
I. Grzegory
;
T. Suski
;
S. Porowski
;
T. Riemann
;
J. Christen
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
light-emitting devices;
linear defects: dislocations, disclinations;
semiconductor lasers;
laser diodes;
32.
Recent progress in nonlinear quantum cascade lasers
机译:
非线性量子级联激光器的最新进展
作者:
Oana Malis
;
Alexey Belyanin
;
Deborah L. Sivco
;
Jianxin Chen
;
A. Michael Sergent
;
Claire Gmachl
;
Alfred Y. Cho
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
quantum cascade laser;
second-harmonic generation;
modal phase matching;
mid-infrared;
33.
High power and highly reliable 980nm lasers with window structure using Impurity Free Vacancy Disordering
机译:
具有无杂质空位无序的窗口结构的高功率,高可靠性980nm激光器
作者:
Yumi Yamada
;
Yoshikazu Yamada
;
Tsuyoshi Fujimoto
;
Kazuomi Uchida
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor laser diode;
IFVD;
InGaAs;
window laser;
NAM;
DCH;
pump source for amplifiers;
reliability;
34.
Growth and Characterisation of Multiple Layer Quantum Dot Lasers
机译:
多层量子点激光器的生长与表征
作者:
Peter M. Smowton
;
Craig L.Walker
;
Ian C. Sall
;
Ian R. Sellers
;
David J. Mowbray
;
Hui-Yun Liu
;
Marina Gutierrez
;
Mark Hopkinson
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
laser diodes;
quantum dots;
35.
Dilute Nitride Type-Ⅱ 'W' Quantum Well Lasers for the Near-Infrared and Mid-Infrared
机译:
用于近红外和中红外的稀氮化物Ⅱ型“ W”量子阱激光器
作者:
J. R. Meyer
;
I. Vurgaftman
;
A. A. Khekar
;
B. E. Hawkins
;
J. Y. Yeh
;
L. J. Mawst
;
T. F. Kuech
;
N. Tansu
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
diode laser;
quantum well;
mid-infrared;
36.
Electrically Tunable Cascaded mid-IR Type Ⅱ Light Source
机译:
电可调级联中红外Ⅱ型光源
作者:
Sergey Suchalkin
;
Mikhail Kisin
;
Gregory Belenky
;
Serge Luryi
;
Yuri Vasilyev
;
John Bruno
;
Fred Towner
;
Richard Tober
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
37.
Degradation of GaN-based High-power Lasers and Recent Advancements
机译:
GaN基大功率激光器的降解及最新进展
作者:
Motonobu Takeya
;
Toshihiro Hashizu
;
Masao Ikeda
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
degradation mechanism;
ELO-GaN;
GaN substrate;
GaN-based lasers;
high-power lasers;
38.
Bus-coupled microresonator lasers
机译:
总线耦合微谐振激光器
作者:
Seung-June Choi
;
Zhen Peng
;
Qi Yang
;
Sang Jun Choi
;
P. Daniel Dapkus
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
microresonator;
CW semiconductor laser;
photonic integrated circuits;
InP/InGaAsP buried heterostructure;
39.
Fabrication of UV devices on various plane substrates
机译:
在各种平面基板上制造紫外线设备
作者:
M. Iwaya
;
T. Kawashima
;
K. Iida
;
A. Honshio
;
Y. Miyake
;
H. Kasugai
;
K. Balakrishnan
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
MOVPE;
AlGaN;
UV-laser diode;
UV-LED;
ZrB_2;
dislocation;
40.
GaInAsSb/AlGaAsSb Laser Diodes for the 2-3 μm range
机译:
2-3μm范围内的GaInAsSb / AlGaAsSb激光二极管
作者:
Y. Rouillard
;
J.Angellier
;
A. Salhi
;
P. Grech
;
F. Chevrier
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
diode lasers;
epitaxy;
infrared lasers;
quantum efficiency;
quantum wells;
semiconductor lasers;
41.
High performance GaInNAsSb/GaAs lasers at 1.5 μm
机译:
1.5μm的高性能GaInNAsSb / GaAs激光器
作者:
Lynford L. Goddard
;
Seth R. Bank
;
Mark A. Wistey
;
Homan B. Yuen
;
James S. Harris Jr.
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
|
2005年
关键词:
semiconductor lasers;
raman amplifiers;
continuous-wave;
GaInNAsSb;
GaInNAs;
GaAs;
MBE;
1.5μm;
42.
Buried heterostructure 2.9 THz quantum cascade lasers operating up to 77K in continuous wave
机译:
埋入异质结构2.9 THz量子级联激光器,连续波工作频率高达77K
作者:
J. Alton
;
S. Dhillon
;
S. Barbieri
;
H. E. Beere
;
M. Calligaro
;
A. de Rossi
;
D. A. Ritchie
;
C. Sirtori
;
E. H. Linfield
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
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2005年
43.
980 nm small aperture tapered laser (1W CW, M~2~3) and tapered arrays ( > 3W CW): comparison between GaInAs/(Al)GaAs quantum dot and quantum well structures
机译:
980 nm小孔径锥形激光器(1W CW,M〜2〜3)和锥形阵列(> 3W CW):GaInAs /(Al)GaAs量子点与量子阱结构的比较
作者:
N. Michel
;
M. Calligaro
;
M. Krakowski
;
S. Deubert
;
J.-P. Reithmaier
;
A. Forchel
会议名称:
《Novel In-Plane Semiconductor Lasers IV》
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2005年
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