Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University,Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University,Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University,Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
Material and Chemical Research Laboratories and Nanotechnology Research Center,Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan 310, R.O.C.;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University,Hsinchu 300, Taiwan;
et al;
机译:AlGaN / GaN异质结构上Ti / Al / Mo / Au欧姆接触的位错诱导的非均匀界面反应
机译:(001)3C SiC / Ni接触界面:原位XPS观察退火引起的Ni2Si形成以及所产生的势垒高度变化
机译:环境对SiC / Ni2Si / TiW / Au接触结构的Ti扩散和层降解的影响
机译:点接触反应形成的Ni2Si / Si的多个异质结构
机译:通过点接触反应,纳米硅器件的镍硅/硅/硅镍和铂硅/硅/铂硅纳米线异质结构形成纳米硅化物。
机译:接触敏感性反应中的CD23 / Fc epsilon R11表达:特应性皮炎中的气敏素贴片试验反应与非特应性个体中的镍贴片试验反应之间的比较。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管外延异质结构上欧姆接触和栅极的形成特征。
机译:金属 - 金属多重键的反应。 8.通过还原消除(烷基基团歧化)在1,2-mo2R2(Nme2)4化合物(m三键m)与二氧化碳和1,3-日本的反应中形成mo-mo四键