Future Technology Research Division, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Cheongryang, Seoul, 130-650, South Korea;
机译:使用有机硅烷作为硅源进行等离子体沉积,衬底偏压和稀释气体对掺入Si的类金刚石碳膜性能的影响
机译:射频等离子体增强化学气相沉积法研究硅源气和衬底偏压对掺硅的类金刚石碳膜性能的影响
机译:脉冲偏压对等离子体增强化学气相沉积法制备的硅/氮结合类金刚石碳膜结构和性能的影响
机译:基质偏压对W掺入金刚石碳膜的结构和性质的影响
机译:研究在低温下电化学沉积的类金刚石碳膜的结构和性能。
机译:退火对含银类金刚石碳膜结构和光学性能的影响
机译:衬底偏压对W掺入类金刚石薄膜结构和性能的影响