Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), 12489 Berlin / Germany;
GaN HEMT; PA; nonlinear model; switch-mode amplifiers; time domain measurements;
机译:射频开关模式放大器的GaN HEMT时域电热仿真
机译:GaN HEMT的大信号建模方法,用于射频开关模式功率放大器设计
机译:用于RF功率放大器设计的Si衬底上GaN HEMT的改进建模
机译:用于RF开关模式放大器的简化交换机GaN HEMT模型
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:开关模式放大器IC,使用Gaas-HBT和GaN-HEmT,具有超过90%的效率,适用于s类功率放大器