机译:具有金属栅极和HfO_2栅极电介质的先进CMOS器件中的载流子迁移率
机译:金属栅CMOS器件中HfO_2的等离子体蚀刻
机译:一种确定高级CMOS器件中HfO_2和其他高K替代栅介质中电子有效隧穿质量的新颖方法
机译:亚微米级CMOS器件的p / sup + /多晶硅栅极MOS结构中栅极氧化物的比例限制
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:高级CmOs器件用铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究