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rnUniversity of Sao Paulo, LSI/PSI/EPUSP Av. Prof. Luciano Gualberto, 158, trav.3, Sao Paulo, SP, CEP 05508-900, Brasil Faculdade de Tecnologia de Sao Paulo - FATEC/SP/CEETEPS Av. Tiradentes, 615 - CEP 01101-010 Sao Paulo, Brazil;
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机译:钛铝氧化物超薄膜作为高k栅极介电材料的热稳定性和电性能
机译:阳极氧化然后炉内退火制备的高性价比高k氧化铝栅极电介质的电学特性和工艺控制
机译:通过铝的阴影蒸发然后硝酸氧化制备的低温(<400℃)Al_2O_3超薄栅极电介质
机译:铝薄膜氧化制备的高k Al_2O_3栅极电介质的表征
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:通过低温原子层沉积制备的用于封装有机电致发光器件的氧化铝薄膜的方法
机译:当量氧化层厚度小于10Å的Hf铝酸盐高k栅极电介质超薄膜的生长和表征