Department of Electrical Engineering, University of Brasilia, Campus Universitario, Asa Norte, C.P. 4386, Brasilia - DF, 70919-970, Brasil;
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机译:NAND闪存单元浮栅的单电子充电的首次检测
机译:用于合成门逻辑的不同数字逻辑家族的性能分析
机译:使用2-D光子晶体的全光NAND逻辑门的设计与性能分析
机译:单电子NAND门的性能分析
机译:单电子技术神经启发门和算术电路的设计和分析。
机译:具有有机和无机混合钝化层的化学组装单电子晶体管上的三输入门逻辑电路
机译:具有侧壁耗尽栅极的硅单电子晶体管及其在动态单电子晶体管逻辑中的应用
机译:正弦干扰引起的7400 TTL与非门性能下降