Laboratorio de Sistemas Integraveis, Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil;
Microelectronics Laboratory, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium;
Laboratorio de Sistemas Integraveis, Universidade de Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Brazil;
机译:分析在低温下使用渐变沟道SOI nMOSFET实现的源极跟随器缓冲器
机译:分析在低温下使用渐变沟道SOI nMOSFET实现的源极跟随器缓冲器
机译:渐变通道Soi Nmosfets用作源跟随器模拟缓冲区的优势
机译:频道长度对具有分级频道SOI NMOSFET实现的源跟随缓冲区性能的影响
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:无线传感器网络中具有缓冲器/通道感知的联合时延功率折衷分析及其FPGA实现
机译:自热和SiGe应变缓和缓冲层厚度对应变Si nMOSFET的模拟性能的影响
机译:采用低温Gaas缓冲液增强的高性能0.15微米 - 栅极长度pHEmT