Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124, Greece;
机译:反向沟道刻蚀法制备双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管的低频噪声特性
机译:关于双栅极In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中改进的电荷传输的起源:低频噪声的观点
机译:多晶硅薄膜晶体管中低频噪声的数值模拟
机译:使用双栅极薄膜晶体管(TFT)器件对由小间距垂直陷阱3D NAND闪存的随机晶界和陷阱位置引起的不对称读取行为造成的可变性进行建模
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:可溶性苯并菲薄膜晶体管的晶界诱导偏置不稳定性
机译:高性能短通道双栅极低温多晶硅薄膜晶体管使用准分子激光结晶