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Etching error analysis of dot grating array in micro-lithography fabrication

机译:微光刻制造中点阵阵列的刻蚀误差分析

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摘要

This paper described the error effect in fabricating process of dot grating array using the Electro-Beam Lithography (EBL). These errors show the change in the width and depth of each pixel of binary optical element (BOE). It will directly induce the errors of the position and phase of transmission beam. The experimental simulating results are compared with that of the theoretical ones.
机译:本文介绍了使用电子束光刻技术制造点阵阵列时的误差效应。这些误差表明二进制光学元件(BOE)的每个像素的宽度和深度都有变化。它将直接引起透射光束的位置和相位的误差。将实验仿真结果与理论仿真结果进行了比较。

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