机译:热处理和等离子处理,用于改进(小于)1 nm等效氧化物厚度的平面和基于FinFET的替代金属栅极高k后器件,并支持简化的可扩展CMOS集成方案
机译:锥形FinFET的鳍形对5nm节点CMOS技术中器件性能的影响
机译:具有Sub-10 nm鳍片宽度和20nm栅极长度散装硅衬底CMOS FinFET的过程集成技术和装置特性
机译:低于100nm CMOS和低于70nm完全自对准双栅极CMOS的钨/硅锗/硅凸起单源/漏极的设计,制造和表征
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
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