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【24h】

New Constraint for Vth Optimization for Sub 32nm Node CMOS Gates Scaling

机译:第32nm节点CMOS缩放的第32NM节点Vth优化的新约束

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摘要

We show new constraint of V{sub}(th) scaling for logic blocks from inverter operation viewpoint. In lower V{sub}(th) region, delay time in inverter chain saturates because of the loss in overdrive for the input of MOSFETs. This loss will dominate the inverter speed in scaled V{sub}(dd) region and we propose a new relaxed scaling scenario. This accounts for the speed loss using a simplified model which adequately manifests the new phenomenon.
机译:从逆变器操作视点显示逻辑块的v {sub}(th)缩放的新约束。在较低的v {sub}(th)区域中,由于用于输入MOSFET的过驱动损耗,逆变器链中的延迟时间饱和。这种损失将在缩放v {sub}(dd)区域中的变频速度主导,我们提出了一个新的轻松缩放场景。这考虑了使用简化模型的速度损失,充分表现出新现象。

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