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【24h】

A 2Gb NAND flash memory with 0.044 μm{sup}2 cell size using 90nm flash technology

机译:使用90nm闪存技术,具有0.044μm的2GB NAND闪存2个单元尺寸

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摘要

A manufacturable 2Gb NAND flash Memory with 0.044μm{sup}2 cell size, which is the smallest cell size ever reported in semiconductor memory, is successfully developed with 90nm NAND flash technology for high density file storage application. The three main key technology features of 90 nm NAND flash technology are advanced KrF lithography with off-axis illumination system equipped with a dipole aperture, reduced stack height of cell, and well optimized gate reoxidation affecting tunnel oxide profile.
机译:具有0.044μm{sup} 2细胞尺寸的可制造的2GB NAND闪存,这是半导体存储器中有史以来最小的单元格尺寸,以90nm NAND闪存技术为高密度文件存储应用程序成功开发。 90nm NAND闪存技术的三个主要关键技术特征是高级KRF光刻,具有偏离偶极光圈的轴轴照明系统,减少堆叠高度的细胞,以及影响隧道氧化物型材的良好优化的栅极再氧化。

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