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【24h】

Bragg Grating Coupled High Q Factor Ring Resonator using LSCVD Deposited Si_3N_4 Film

机译:布拉格光栅耦合高Q因子环谐振器使用LSCVD沉积Si_3N_4薄膜

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摘要

High-quality Si_3N_4 films with low optical loss were deposited at 150°C using LSCVD. A micro-ring resonator based on as-deposited Si_3N_4 with Q-factor of 5.2×10~4 has been demonstrated. Bragg gratings are fabricated at bus ends to improve coupling efficiency. The LSCVD deposited Si_3N_4 exemplify its viability as a photonic integration platform.
机译:使用LSCVD在150℃下沉积具有低光损耗的高质量Si_3N_4薄膜。已经证明了基于Q系数的Q系数的微环谐振器已经证明了5.2×10〜4的Q系数。布拉格光栅在总线端部制造,以提高耦合效率。 LSCVD沉积SI_3N_4举例说明其作为光子集成平台的可行性。

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