InGaN/GaN; multiple quantum well; X-ray diffraction; transmission electron microscopy; photoluminescence; photoluminescence excitation; time-resolved photoluminescence; quantum confined Stark effect;
机译:利用量子点模型模拟InGaN / GaN多量子阱发光二极管的电和光效应
机译:温度对InGaN / GaN多量子阱发光二极管光学性能的影响
机译:X射线和质子辐照对IngaN / GaN多量子阱发光二极管特性的比较
机译:高性能InGaN / GaN多量子阱发光二极管的光学和结构特征:纳米结构特征的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:光电性能变化InGaN / GaN多量子孔发光二极管:潜在波动的影响