【24h】

Towards High-Mobility 2D Semiconductors

机译:朝向高移动性2D半导体

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摘要

One of the major challenges that limits the development of 2D semiconductors is the low carrier mobility. Here using advanced first-principles calculations methods, we will show the intrinsic mobility for a variety of 2D semiconductors, including transition metal dichalcogenides and monoelemental materials, and their mobility-limiting factors. Moreover, we will show that strain can significantly change the carrier mobility of certain materials, and the underlying physical origin.
机译:限制2D半导体的发展的主要挑战之一是低载体移动性。 在这里,使用先进的第一原理计算方法,我们将显示各种2D半导体的内在移动性,包括过渡金属二甲基甲基化物和单机材料,以及它们的移动性限制因子。 此外,我们将表明应变可以显着改变某些材料的载流子迁移率和潜在的物理来源。

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