机译:通过氢化物气相外延在氨热法合成的GaN籽晶上生长的具有低点缺陷浓度的低电阻率m面独立式GaN衬底
机译:勘误表:“在低缺陷密度的自支撑GaN衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎没有堆叠功能的m面GaN同质外延膜的光学性质[Appl。物理来吧92,091912(2008)]
机译:金属有机气相外延在低缺陷密度独立式GaN衬底上生长的几乎无缺陷的m面GaN同质外延膜的光学特性
机译:NMOS外延-无缺陷和低电阻率的薄膜
机译:氢化物气相外延生长的III-V半导体薄膜中的缺陷分析。
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:缺陷浓度极低的自立氢化物-气相-外延生长的GaN特性