机译:通过PECVD中的工作压力控制a-Si:H / c-Si异质界面的外延生长
机译:用PECVD技术制备的低带隙a-SiGe:H合金的电子输运性能
机译:铟锡氧化物层与a-Si:H薄膜晶体管的Al(Ni)合金电极直接接触:镍合金化对界面氧化物生长和接触电阻的影响
机译:RF PECVD的新制度为A-Si的生长:H及其改进电子特性的合金
机译:非常规半导体的外延生长,表面和电子性质:RE-V / III-V纳米复合材料和半导体半霍斯勒合金
机译:通过Ag / Pt双层的一步式固态去湿(SSD)改善了全合金双金属AgPt和单金属Pt NP的形态和局部表面等离子体共振(LSPR)特性
机译:确定与提高a-si:H基电池稳定性有关的电子特性以及a-si,Ge:H基电池的整体性能;最终分包合同报告,1994年4月18日至1998年1月15日
机译:确定与提高a-si:H基电池稳定性相关的电子特性以及a-si,Ge:H基电池的整体性能。年度分包合同报告,1995年4月18日至1996年4月17日