Anti-Diffusion Layers; GaAs; Metal-Semiconductor Contact; Short-Term Thermal Annealing; TiB{sub}2; X-Ray Diffraction;
机译:利用通过两步退火工艺在GaAs衬底上生长的CdTe缓冲层提高Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的结晶度和电性能
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4#μ#m光致发光
机译:短期退火对GaAs衬底上Tib {Sub} 2抗扩散层的金属多层晶体结构的影响
机译:通过非平衡电子传输和铝薄膜中非平衡电子的能量动力学对金属多层结构进行成像。
机译:GaAs(210)衬底上生长的多层InGaAs纳米结构
机译:GaAs(210)衬底上生长的多层InGaAs纳米结构
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构